Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用

Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸。為

隨著 AI 資料中心持續擴大規模，AI token 生成能力正逐漸受到供電能力限制，而能源效率也成為投資報酬率的關鍵因素。傳統採用大型低頻變壓器的電力架構，不僅增加系統複雜度與能量損耗，也限制了系統彈性。固態變壓器則代表電力傳輸架構的重大轉變，可減少電力轉換級數並提升整體系統效率。隨著新一代 AI 資料中心逐步採用更高電壓的直流機櫃配電架構，SST 的價值也更加凸顯，可透過更少的轉換級數，直接將中壓電網轉換為穩定直流電供應機櫃使用。

圖1 : 全新碳化矽模組提供固態變壓器所需的散熱效能與轉換效率，提升 AI token 生成能力可用電力

Microchip 的 HV-D3 mSiC 模組正是針對這類需求所打造。該模組採用 Microchip mSiC MOSFET 技術，可在寬溫度範圍內維持極具競爭力的 RDS(on) 穩定性，並搭配支援 6 kV 絕緣能力的封裝設計，採用符合 CTI 600 等級的材料，並具備加大爬電距離設計，以支援高電壓操作下的安全串聯應用。模組同時採用氮化矽（Si?N?）基板，可提升熱傳導效能與功率循環能力，協助設計人員在降低散熱需求的同時實現更高功率密度。

Microchip 高功率解決方案事業單位副總裁 Clayton Pillion 表示：「隨著 AI 資料中心持續挑戰從電網到 GPU 的供電極限，固態變壓器的重要性也日益提升。我們的 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，相較於較低電壓的 SiC 解決方案，在連接 13.8 kV 或 34.5 kV 電網時，可將所需串聯元件數量大幅減少約一半。此外，這些元件也補足工業市場中 100–300A 產品的關鍵缺口，銜接分離式 SiC 元件與大型功率模組之間的應用需求。」

HV-D3 mSiC 功率模組提供半橋與共源（common-source）架構版本，並提供含或不含反向並聯蕭特基二極體的選項，可支援 100–300A 應用需求。Microchip 的 mSiC MOSFET 技術可在硬切換（hard-switched）與軟切換（soft-switched）拓撲中提供平衡的切換損耗表現，使其非常適合 SST 與其他高頻、高電壓系統應用。

除了針對 AI 資料中心中的固態變壓器進行最佳化外，HV-D3 mSiC 功率模組亦適用於多種高功率應用，包括重型車輛的百萬瓦充電基礎設施、軌道與重型運輸系統的輔助電源、中壓馬達驅動器，以及工業與國防電力系統。這些應用皆可受惠於其高絕緣能力、優異熱穩定性與高效率電力轉換特性。

Microchip 在 SiC 元件與功率解決方案的開發、設計、製造與技術支援方面擁有超過 20 年經驗，協助客戶以更簡單、更快速且更具信心的方式導入 SiC 技術。公司 mSiC 系列產品與解決方案可協助客戶降低系統成本、縮短上市時間並降低設計風險。Microchip 提供完整且彈性的 SiC 二極體、MOSFET 與閘極驅動器產品組合。更多資訊請造訪：www.microchip.com/sic 。