宜普电源推出高频单片式氮化??半桥功率电晶体

EPC2111氮化??半桥功率电晶体?明系统设计师实现具高效率的负载点系统应用，在14 A、12 V转至1.8 V、5 MHz开关时实现超过85%效率，及在10 MHz开关时实现超过80%效率。

图一 : 宜普电源推出高频单片式氮化??半桥功率电晶体，推动12 V转至1.8 V系统在5 MHz、14 A输出电流下实现超过85%效率。 (source:EPC)

宜普电源（EPC）推出30 V的增强型单片式半桥氮化??电晶体（EPC2111）。透过整合两个eGaN功率场效应电晶体形成单个元件，可以去除互连电感及节省印刷电路板上元件之间的空隙。这样可以提高效率（尤其是在更高频率时）及提高功率密度，而且同时降低终端用户的功率转换系统的组装成本。EPC2111是高频12 V转至负载点DC/DC转换的理想元件。

在EPC2111半桥电晶体内的每一个元件的额定电压是30 V。上面的场效应电晶体的导通电阻典型值是14 微欧姆，下面的场效应电晶体的导通电阻典型值是6 微欧姆。EPC2111使用晶片级封装，可以改善开关速度及散热性能。其尺寸只是3.5 mm x 1.5 mm，功率密度更高。
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