Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，支援 AI 资料中心固态变压器应用

Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模组，专为加速 AI 超大规模资料中心与其他高电压电力应用导入固态变压器（Solid-State Transformer, SST）而设计。新模组於业界标准 62 mm 封装中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 与萧特基二极体，可实现从中压电网直接向伺服器机柜提供高效率电力传输。为

随着 AI 资料中心持续扩大规模，AI token 生成能力正逐渐受到供电能力限制，而能源效率也成为投资报酬率的关键因素。传统采用大型低频变压器的电力架构，不仅增加系统复杂度与能量损耗，也限制了系统弹性。固态变压器则代表电力传输架构的重大转变，可减少电力转换级数并提升整体系统效率。随着新一代 AI 资料中心逐步采用更高电压的直流机柜配电架构，SST 的价值也更加凸显，可透过更少的转换级数，直接将中压电网转换为稳定直流电供应机柜使用。

图1 : 全新碳化矽模组提供固态变压器所需的散热效能与转换效率，提升 AI token 生成能力可用电力

Microchip 的 HV-D3 mSiC 模组正是针对这类需求所打造。该模组采用 Microchip mSiC MOSFET 技术，可在宽温度范围内维持极具竞争力的 RDS(on) 稳定性，并搭配支援 6 kV 绝缘能力的封装设计，采用符合 CTI 600 等级的材料，并具备加大爬电距离设计，以支援高电压操作下的安全串联应用。模组同时采用氮化矽（Si?N?）基板，可提升热传导效能与功率循环能力，协助设计人员在降低散热需求的同时实现更高功率密度。
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