突破二维半导体检测关键 台湾团队发表临场剖面扫描显微半导体检测技术

台湾大学物理学系邱雅萍教授团队，昨日在国科会举行记者会，发展其首创「临场剖面扫描显微半导体检测技术」。该技术与师范大学物理学系蓝彦文教授、林文钦教授，及新加坡国立大学李连忠教授合作，在先进二维半导体电晶体运作状态下，以原子级空间解析度直接量测金属与半导体接触边缘的电子转移长度，为电晶体微缩潜力提供关键实验证据，研究成果已於2026年7月1日正式发表於《自然》(Nature)期刊中。

二维半导体是厚度仅有单原子至数层原子等级的奈米薄片材料，如二硫化??（MoS?）和二??化钨（WSe?）等过渡金属硫族化合物。邱雅萍教授表示，二维半导体是後摩尔时代晶片持续微缩的关键材料，但电晶体能否持续微缩，金属接触区的品质至关重要。电子转移长度直接决定接触电阻大小与电子注入效率，过去因缺乏直接的次奈米级实验佐证，只能依赖无法完全适用於二维半导体的传统理论模型。

然而模型推论的精准差异甚大，难以决断出真正高效的解决方案。对此，邱雅萍教授运用其深耕近20年的显微镜量测技术，并成功将临场操作偏压功能整合至量测系统中。透过以半金属铋(Bi)接触单层二硫化??(MoS?)电晶体为平台，在超高真空环境中施加偏压，如同在接触边缘架设原子尺度的摄影机。让研究人员首次能在元件实际运作时，直接观察电子穿越接触边缘的传输行为，并精确量测有效注入的长度。
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