敏博推出U.2与M.2 PCIe Gen3x4固态硬碟搭配3D MLC快闪记忆体

继英特尔与三星之後，敏博(MemxPro)导入全新技术，正式发表PCIe Gen3x4高速介面之U.2 PCIe A4E系列产品，成为全球第三家推出U.2系列的固态硬碟制造厂商。敏博新推出的PCIe Gen3x4 SSD系列采用主控晶片大厂慧荣Silicon Motion SM2260控制器，支援NVMe传输控制标准，搭载美光Micron先进3D NAND架构MLC快闪记忆体，切入伺服器与资料中心储存装置应用市场，目前亦推出M.2 PCIe 2280，符合专业人士、科技狂热者与玩家的使用需求。

图一 : 敏博全新PCIe系列产品包括U.2 SSD与M.2 2280，进军伺服器与电竞笔电市场。

随着SSD市场快速成长以及SATA III产品逐渐普及，在速度上已达到理论传输频宽6.0Gb/s的上限，敏博积极开发新一代PCIe 3.0规格NVMe SSD，采用四线道高传输速度，理论传输频宽达32Gb/s。在PCIe汇流排频宽奥援下，速度为 SATA 6.0Gb/s机种的数倍。

此外，敏博的U.2 PCIe SSD搭配先进之3D MLC快闪记忆体，创新技术引领储存效能与耐用度的全面提升。3D NAND技术，采用垂直堆叠多层数据储存单元的方式来提高NAND的容量，当3D NAND快闪记忆体单位面积容量增加，每片晶圆所能生产的NAND容量变大。之前的2D平面快闪记忆体，在提升速度与容量的前提下，不断推出新制程技术加强储存密度，目前达到1x奈米，制程微缩导致产品良率与抹写周期下降，并且已达微缩瓶颈。3D NAND技术可利用既有制程，预估成本将随之降低，并能提高快闪记忆体可靠度与耐久性。
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