RAMBUS推出行动XDR记忆体架构

Rambus宣布推出新一代行动产品适用的行动XDR记忆体架构。乃延续Rambus去年所发表的行动记忆体技术，能够提供高频宽且低功耗的记忆体架构，进而使装置的功耗与效能充分满足新一代行动产品的需求。

Rambus全球授权暨行销资深??总裁Sharon Holt表示，行动XDR记忆体能够在低功耗且符合成本效益的表现下实现高度的行动设计。此外，针对能与目前生产制造基础架构相互结合的SoC和DRAM装置，行动XDR架构可提供上述优点，进而降低风险并缩短上市时程。

行动XDR记忆体架构能使未来的行动记忆体平台达到各接脚4.3 Gbps的资料传输率，并发挥其能源效率。在最耗电的使用情况下，如此的效能可使SoC平台在单一行动XDR DRAM装置中实现17GB/s以上的记忆体频宽，同时将众多行动产品的电池电力延长30分钟以上。
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