Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用

Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸。為

隨著 AI 資料中心持續擴大規模，AI token 生成能力正逐漸受到供電能力限制，而能源效率也成為投資報酬率的關鍵因素。傳統採用大型低頻變壓器的電力架構，不僅增加系統複雜度與能量損耗，也限制了系統彈性。固態變壓器則代表電力傳輸架構的重大轉變，可減少電力轉換級數並提升整體系統效率。隨著新一代 AI 資料中心逐步採用更高電壓的直流機櫃配電架構，SST 的價值也更加凸顯，可透過更少的轉換級數，直接將中壓電網轉換為穩定直流電供應機櫃使用。

圖1 : 全新碳化矽模組提供固態變壓器所需的散熱效能與轉換效率，提升 AI token 生成能力可用電力

Microchip 的 HV-D3 mSiC 模組正是針對這類需求所打造。該模組採用 Microchip mSiC MOSFET 技術，可在寬溫度範圍內維持極具競爭力的 RDS(on) 穩定性，並搭配支援 6 kV 絕緣能力的封裝設計，採用符合 CTI 600 等級的材料，並具備加大爬電距離設計，以支援高電壓操作下的安全串聯應用。模組同時採用氮化矽（Si?N?）基板，可提升熱傳導效能與功率循環能力，協助設計人員在降低散熱需求的同時實現更高功率密度。
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