AI供電邁向800V　SiC、GaN搶進資料中心

AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高，傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力，800V高壓直流（HVDC）、固態變壓器（SST）與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構，SiC、GaN也從電動車與消費快充，加速走向AI資料中心。

資策會MIC指出，AI資料中心從前端電網、SST、儲能一路到伺服器與晶片，都需要更高效率與功率密度的電力轉換。SST將推動SiC由1.2kV朝2.3kV甚至6.5kV等更高耐壓發展；GaN則由快充進入AI伺服器，未來若高壓雙向元件成熟，也可能切入目前以SiC或矽元件為主的雙向DC-DC市場。

這項變化背後，是AI機櫃用電快速升級。而NVIDIA今年提出800VDC架構，目的在減少從電網到GPU之間的電力轉換階段，降低高功率環境下累積的效率損失，讓更多電力真正送達加速器。

圖一 : 800V高壓直流（HVDC）、固態變壓器（SST）與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代AI供電架構。

台灣供應鏈也開始往系統層級布局。工研院已整合SiC元件、功率模組、電子式繼電器與GaN高效率電源技術，並將SiC技術移轉同欣電、尼克森，串聯鴻揚、茂矽等晶圓製造資源；GaN則與群創發展內埋式封裝，供應鏈由單顆功率元件向模組與次系統延伸。

AI電力革命因此不只是把54V換成800V，而是從Grid、SST、800VDC、儲能、DC-DC一路到GPU的電力鏈重新設計。而今AI資料中心投資已讓變壓器、供電與液冷設備成為GPU之外的新瓶頸。

對台廠而言，下一階段競爭關鍵將從SiC、GaN製造能力，進一步轉向高密度封裝、磁性元件、EMI、散熱及功率模組整合，誰能提供完整「Grid-to-Chip」方案，誰就更有機會卡位AI基礎建設升級。