高塔半導體日本擴產矽光子 聯電新加坡廠搶攻AI光互連商機

Tower Semiconductor（高塔半導體）14日與日本經濟產業省（METI）宣佈，於日本啟動擴產計畫，預計總投資金額30億美元（約合新台幣970億元，其中包含日本政府提供之10億美元補貼專案），瞄準300mm矽光子、矽鍺製程以及次世代先進光學封裝產能。

此次擴產聚焦在把新潟縣妙高市的原Arai廠（Fab 6）全面改建為高規格 300mm矽光子與先進光學封裝中心，同時增加富山縣魚津市的Fab 7產能。此項製程將提供數倍成長的矽光子與矽鍺晶圓代工能量。

另一方面，近期聯電也宣布與矽光子新創SILITH合作取得重大突破，其新加坡12吋晶圓廠已成功交付首批量產的矽光子晶圓。聯電也預計於2027年推出自有的12吋矽光子平台，以利更多客戶進行產品開發與量產導入。

聯電指出，本次合作完美結合了SILITH的矽光子設計專業，以及聯電成熟的12吋晶圓製造與特殊製程能力。此項技術合作旨在支援SILITH每秒1.6太位元解決方案的量產需求，全力滿足AI與超大規模資料中心網路對於高速AI光互連日益增長的龐大需求。