搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「設計」,共 43637

AI資料中心持續擴建,全球記憶體供應緊張已從HBM擴散至一般DRAM與NAND,並開始影響手機、PC產品設計。路透指出,部分中小型手機與筆電業者正為可能延續至2027年甚至更久的記憶體短缺預做準備,除了提前下單,也開始修改主機板與產品規格,

數十年來,電子設計自動化(EDA)的生產力提升,主要來自效能更高的模擬器、可擴充的形式驗證工具,以及運算能力更強的求解器。然而,隨著 SoC 設計規模持續擴大,單純提升工具效能已不足以因應驗證團隊面臨的挑戰。 今日 RTL 驗證的主要瓶頸,

低功耗可程式設計元件及平台韌體領域供應商萊迪思半導體(Lattice )推出全新Lattice Mach-N2 FPGA系列,適用於安全控制FPGA領域。Mach-N2專為現代基礎設施中的系統控制與安全需求打造,基於Lattice Nexu

循環經濟需要智慧永續的方案支援擴大發展更多的可能性。「2026 台灣創新技術博覽會」於17~ 19 日在台北世貿一館舉辦,環境部資源循環署今年邀集 9 家企業參展,以「AI 智慧賦能、再生材料高值化、全生命週期減碳」為主軸,展出 AI 分選

安森美(onsemi)發布嵌入式電源平台(EPP),這是一項突破性架構,以矽晶圓本身作為封裝載體,並引入高度整合的電源系統設計方法。EPP是可擴展的平台,從設計之初便整合電氣、機械和熱設計,針對AI、電氣化和自動駕駛應用,幫助客戶實現更高的

全球關鍵基礎設施全面走向數位化,運算、通訊及工業系統的架構正迎來兩大結構性變革:一是後量子密碼(PQC)時代的資安防護規格升級,二是面對系統日益複雜化所催生的 AI 輔助開發轉型。 在資安層面,隨著量子運算技術快速突破,傳統公鑰加密架構正面

生成式AI由聊天工具走向可自主執行任務的AI Agent,資安防護也從模型與應用軟體一路延伸至韌體與晶片。台灣晶片IP業者開始把身分認證、安全啟動及金鑰保護直接嵌入晶片設計,力旺與晶心科等業者均已布局硬體層安全技術,反映Silicon Se

AI伺服器市場正從GPU主導走向ASIC、GPU與通用型伺服器並存的新階段。緯穎表示,上半年出貨仍以通用型伺服器為主,但ASIC伺服器本季可追至整體出貨約一半,下一季可望進一步超越通用型產品;GPU伺服器則預計下季底開始出貨,顯示大型雲端業

面對全球供應鏈重組與市場需求變化,台灣廠商持續以精密製造、客製化及彈性生產等優勢拓展國際市場。由機械公會與貿協共同主辦的「2026年台北國際塑橡膠工業展(TaipeiPLAS)」期間的重點活動「TaipeiPLAS Award」,以鼓勵產業

人工智慧帶動資料中心高速傳輸需求攀升,搶攻AI算力商機,經濟部產業技術司的「2026台灣創新技術博覽會(TIE)」於今(17)日登場,今年以「AI賦能創新,永續邁向未來」為主軸,規劃四大展區—創新經濟館、未來科技館、智慧永續館及發明競賽區,

Physical AI競爭正從單一人形機器人,進一步擴大至「整座工廠如何由AI協同運作」。韓國科學技術情報通信部規劃2026年至2030年投入7,368億韓元,開發Physical AI軟體平台,讓不同品牌與功能的機器人、設備共同協作,並且

當全球製造業加速朝向數位化、智慧化發展,塑橡膠產業也面臨生產效率、彈性製造、設備可靠度與永續營運等多重挑戰。今年9月15~19日舉行的台北國際塑橡膠工業展(Taipei PLAS),便反映產業正從傳統機械製造持續朝智慧製造與數位化升級的趨勢

迎接企業AI正從單點導入走向規模化與工業化,2026年又逢達梭系統(Dassault Systemes)來台成立20週年,並舉辦年度高峰論壇暨SIMULIA用戶大會。不僅聚焦「虛擬雙生×AI虛擬助手」,同時邀請全球與亞太區產業專家及科技領袖

面對機器人、AGV(自動導引車)、輸送系統等行動設備快速導入,工業現場對無線通訊的需求也從「能不能連線」,逐漸轉向「能否維持穩定、低延時且可預期的連線品質」。相較於有線網路具備穩定性但缺乏設備移動彈性,Wi-Fi等既有無線技術則可能受到頻譜

提供多種類半導體與電子元件、專注於新產品導入的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供貨意法半導體(STMicroelectronics) ST25R210通用NFC讀卡機。ST25R210 NFC讀卡機專為成

HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量,新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合,製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷,

AI晶片持續拉升HBM需求,記憶體競爭正在由容量、頻寬與傳輸速度,進一步深入「良率工程(Yield Engineering)」。隨著HBM從8層、12層往16層堆疊發展,TSV、Micro-bump與Bonding結構更加密集,任何單層DR