ROHM開發出擴充性出色的車載SoC適用電源解決方案 (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出結合PMIC*1「BD968xx-C系列」和DrMOS*2「BD96340MFF-C」的全新電源解決方案，適用於ADAS（先進駕駛輔助系統）、DMS（駕駛監控系統）和感測相機等車載應用SoC*…
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ROHM推出兼具低FET發熱量和低EMI特性的三相無刷馬達驅動器IC (2025.10.28)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出適用於中等耐壓系統（12V～48V系統）、採用「TriC3」技術的三相無刷直流馬達驅動器IC「BD67871MWV-Z」。透過ROHM自家驅動邏輯，該馬達驅動器IC在降低FET發熱量的同時，也成…
「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率並實現碳中和，已成為全球共…
ROHM推出「PFC＋返馳式控制參考設計」 (2025.07.24)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出新的參考設計「REF67004」，該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC（Power Factor Correction）*1和準諧振返馳…
ROHM開始量產適合高耐壓GaN元件驅動的絕緣閘極驅動器IC (2025.05.27)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用，可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動，有助馬達和伺服器電源等…
英飛凌推出EiceDRIVER 125 V高側閘極驅動器 故障即時保護電池 (2024.11.07)
在電機驅動和開關模式電源（SMPS）等電池供電應用中，電源架構通常要求在模組發生故障時能夠斷開該模組與主電源軌的連接。為實現這一功能，往往會採用MOSFET等高側斷開開關，以防止負載短路影響電池。英飛凌科技推出EiceDRIVER 1EDL…
意法半導體新款750W馬達驅動參考板適用於家用和工業設備 (2024.10.27)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新款EVLDRIVE101-HPD（高功率密度）馬達驅動參考設計在直徑僅5公分的圓形PCB電路板上整合三相閘極驅動器、STM32G0微控制器和750W功率級。該電路板的休眠模式下功耗極…
ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域，由於物聯網（IoT）設備的需求漸增，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題，要求功率元件需不斷進行優化。另外，不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需…
羅姆馬來西亞工廠新廠房竣工 強化類比IC產能 (2023.10.18)
半導體製造商羅姆集團（ROHM）為了加強類比IC產能，在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（簡稱RWEM）投建新廠房，近日已經竣工並舉行竣工儀式。 RWEM之前主要生產二極體…
英飛凌推出新雙通道電氣隔離EiceDRIVER閘極驅動器IC (2023.05.24)
如今，3.3 kW的開關式電源（SMPS）透過採用圖騰柱PFC級中的超接面（SJ矽）功率MOSFET和碳化矽（SiC）功率MOSFET，以及能夠滿足高壓DC-DC功率轉換要求的氮化鎵（GaN）功率開關等最新技術，使得功率密度可以達到100 …
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Micr…
ROHM第4代SiC MOSFET成功導入日立安斯泰莫電動車逆變器 (2022.12.20)
ROHM第4代SiC MOSFET和閘極驅動器IC已被日本知名汽車零件製造商日立安斯泰莫株式會社（以下簡稱日立安斯泰莫）使用於電動車（以下簡稱EV）逆變器。 在全球實現減碳社會的過程中，汽車的電動化進程持續加速，在此背景下，開發更高效、更小…
TI與群光電能合作 將GaN導入節能筆電電源供應器 (2022.12.14)
德州儀器（TI）宣布與群光電能（群電）於其最新款 65W 筆電電源供應器「Le Petit」中導入 TI 高整合式氮化鎵（GaN、Gallium nitride）解決方案。搭載 TI 的整合式閘極驅動器 LMG2610 半橋 GaN FET…
SiC牽引逆變器降低功率損耗和熱散逸 (2022.08.25)
本文說明如何在EV牽引逆變器中驅動碳化矽（SiC）MOSFET，透過降低電阻和開關損耗來提高效率，同時增加功率和電流密度。…
以碳化矽MOSFET實現閘極驅動器及運作 (2022.08.19)
碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體（IGBT）不同，本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時，設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。…
TI：SiC MOSFET可減少功率損耗和熱散逸 (2022.08.11)
隨著電動車（EV）製造商之間為了開發成本更低、續航里程更長的車型所進行的競爭日益激烈，電力系統工程師必須設法藉由降低功率損耗和提高牽引逆變器系統效率，來提升續航里程並增加競爭優勢。 效率與較低的功率損耗有關，而這會影響熱性能、系統重量、尺寸…
ROHM SiC技術助力SEMIKRON功率模組 打造次世代電動車 (2022.07.15)
SEMIKRON和半導體製造商ROHM在開發碳化矽（SiC）功率模組方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用於SEMIKRON車規級功率模組「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 此外，SEMIKR…
英飛凌攜手台達 以寬能隙元件搶攻伺服器及電競市場 (2022.07.08)
數位化、低碳等全球大趨勢推升了採用寬能隙（WBG）元件碳化矽/氮化鎵（SiC/GaN）的需求。這類元件具備獨特的技術特性，能夠助力電源產品優化性能和能源效率。 英飛凌科技股份有限公司與台達電子工業股份有限公司兩家全球電子大廠，長期致力於創新…
東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（簡稱東芝）為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能，並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓。這些新產品包括用於2…
英飛凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展現極高系統可靠性 (2022.04.01)
英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。 這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和.XT互…