英飛凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。
這些SiC元件採用英飛凌先進的SiC溝槽式工藝、精簡的D2PAK表面貼裝 7 引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用於大功率應用，包括伺服器、電信設備、工業SMPS、電動汽車快速充電、馬達驅動、太陽能系統、儲能系統和電池化成等。
新產品可在更大電流下提供更出色的開關性能，相比於最佳矽元件，其反向恢復電荷（Qrr）和漏源電荷（Qoss）降低80%。通過降低開關損耗，該產品可在縮小系統尺寸的同時，實現開關頻率，從而提高能效和功率密度。
溝槽式技術為實現卓越的閘極氧化層可靠性奠定基礎，加之經過優化的耐雪崩擊穿能力和短路耐受能力，即使在惡劣環境中亦可確保極高的系統可靠性。SiC MOSFET不僅適用於連續硬式換流情況，而且可以在高溫等惡劣條件下工作。由於它們的導通電阻（RDSon）受溫度的影響小，這些元件實現出色的熱性能。
由於具備較寬的閘源電壓（VGS）範圍，為-5 V至23 V， 支援0 V關斷以及大於4 V的閘源閾值電壓（VGSth），新產品可以搭配標準的MOSFET閘極驅動器IC使用。此外，新產品支援雙向拓撲，具有完全的dv/dt可控性，有助於降低系統成本和複雜度，並且易於在設計中使用和整合。
.XT互連技術大幅提高封裝的散熱性能。與標準互連技術相比，.XT互連技術可額外耗散30%的損耗。英飛凌新推出的採用D2PAK 7引腳封裝的SiC MOSFET產品組合包括10款新產品，是市面上型號最齊全的產品系列之一。
採用D2PAK 7引腳封裝（TO-263-7）的650 V CoolSiC MOSFET系列新產品現已開放訂購。
