突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上，發表在22奈米製程節點上，利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體（FeRAM）。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸，使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合…
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新世代記憶體大突破 臺灣團隊攻克SOT-MRAM材料瓶頸 (2025.09.26)
新型記憶體推進商用化，由材料科學與工程學系黃彥霖助理教授領導的研究團隊，攜手台積電、工研院、國家同步輻射研究中心、史丹佛大學及國立中興大學等國際頂尖夥伴，成功突破自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）的關鍵材料限制。這項成果不…
CEA-Leti首次展示22奈米FD-SOI節點 重新定位鐵電記憶體 (2024.12.11)
CEA-Leti工程師在IEDM論壇中首次展示了基於鉿鋯鐵電材料的可擴展電容平台，並將其整合到22奈米FD-SOI技術節點的後端製程(BEOL)中。這項突破性的成果代表了鐵電記憶體技術的重大進展，顯著提升了嵌入式應用程式的可擴展性，並將鐵電…
從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案。…
高速運算平台記憶體爭霸 (2024.07.02)
各類AI應用的市場需求龐大，各種記憶體的競爭也異常的激烈，不斷地開發更新產品，降低成本，企圖向上向下擴大應用，只有隨時保持容量、速度與可靠度的優勢才是王道。…
掌握鐵電記憶體升級關鍵 imec展示最新介面氧化技術 (2022.12.06)
於本周舉行的2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一款摻雜鑭（La）元素的氧化鉿鋯（HZO）電容器，成功取得1011次循環操作與更佳的電滯曲線（電場為1.8MV/cm時，殘留極化值達到30μC/…
為1Mb序列FRAM開發超小型封裝 (2015.07.14)
1 Mb FRAM（鐵電隨機存取記憶體）的MB85RS1MT元件，採用8針腳晶圓級晶片尺寸封裝（WL-CSP）製程。全新的WL-CSP製程可讓封裝面積僅有目前8針腳SOP（small-outline package）封裝的23%，而厚度也約…
RS為更廣大開發者社群帶來NFC技術 (2015.03.17)
RS Components (RS) 公司宣佈，將自即日起推出 Panasonic NFC 標籤平台，讓近距離無線通訊（NFC）應用變得更容設計易且更容易存取，該平台擁有各種 NFC 積體電路組以及易於使用的開發工具。 新的NFC晶片在精巧…
ROHM研發：低功耗穿戴型生物感應技術 (2014.12.23)
主旨 半導體製造商ROHM株式會社與神戶大學研究所專攻系統資訊學研技科資訊科學之吉本雅彥教授共同在NEDO企劃之「常閉運算（Normally-Off Computing）基礎技術研發」中，成功研發出適合於次世代穿戴型生物感應器之全球最低超低…
[Tech Spot]四大快閃記憶體替代技術 (2012.12.06)
快閃記憶體仍如日中天，智慧手機消費型設備，例如平板電腦和智慧手機，強勁地推動了快閃記憶體及整個半導體市場。未來幾年，平板電腦的市佔率將不斷增加，目前最常見的快閃記憶體類型是 NAND，一位市場分析師預測：2011 至 2015 年之間， N…
針對奈米電子時代的非揮發性記憶體 (2010.02.02)
目前主流的基於浮閘快閃記憶體技術的非揮發性記憶體（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，快閃記憶體本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這樣的環境驅使下，業界試圖運用新的材料和概念研發更好的記憶體技術，以替代快閃記憶體，並更有效地縮小記憶體，提高儲存效能。這篇文章將分析主要幾項基於無機材料的新非揮發性記憶體技術，如鐵電記憶體 (FeRAM)、磁阻記憶體(MRAM)和相變化記憶體(PCM)，以及主要的基於鐵電或導電開關聚合物等有機材料的創新記憶體概念。最後將重點式探討相變化記憶體技術，因為該技術最具發展為下一代非揮發性記憶體技術的潛力。…
A-SSCC先進論文發表 牽動亞洲IC發展大勢 (2009.09.04)
第五屆亞洲固態電路研討會（2009 A-SSCC），將於11月16至18日在台北圓山大飯店隆重登場，會中共有來自全球14國的97篇、與半導體電路設計產業技術密切相關的論文即將發表。論文內容涵蓋類比電路及系統、資料轉換、數位電路及系統、單晶片…
<font color="#ff6600">美國賓州大學完成高密度FeRAM技術研究成果</font> (2007.10.24)
美國賓夕法尼亞大學結合化學以及機械工程的教授團隊，近期在奈米多尺度力學領域的研究有了重要的突破。10月中他們宣布完成了鐵電域壁（domain walls，亦稱疇壁）的多尺度模型（multi-scale modeling），並提出新的鐵電域壁…
非揮發性記憶體的競合市場 (2007.10.24)
記憶體本身就具有通用與中介的性質，所以發展出來的各類記憶體元件，多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故，所發展的都是非揮發性的記憶體，這樣才能既做為系統隨機存取之用，又能組成各類的儲存裝置，例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等。…
<font color="#ff6600">記憶體技術競賽 Intel看好PRAM</font> (2007.04.17)
英特爾（Intel）在英特爾開發商論壇（IDF）上首次公開演示其PRAM技術。PRAM是由英特爾和數家其他公司聯合開發的一種相變隨機記憶體，被認為可能取代Flash，甚至是DRAM。與DRAM不同的是，Flash等非揮發性記憶體不會因沒電而…
富士通與東京工業大學聯手開發FeRAM創新材料 (2006.08.08)
香港商富士通微電子有限公司台灣分公司8日宣佈，東京工業大學（Tokyo-Tech）、富士通實驗室(Fujitsu Laboratories Ltd.)與富士通有限公司已經聯合開發出一種用於新一世代非揮發性鐵電記憶體(FeRAM)的新型材料。…
快閃IC「RRAM」發展動向 (2005.09.05)
隨著各種可攜式電子產品的記憶容量不斷擴張，傳統的Flash Memory已很難滿足市場需求。雖然FeRAM曾經是各半導體廠商囑目的焦點，不過隨著RRAM的出現，也代表著非揮發性記憶體即將進入嶄新的紀元。…
新世代記憶體技術展望 (2004.04.25)
非揮發性與速度是未來記憶體技術的兩大訴求，輕薄短小、降低成本以及省電更成為系統設計所追求的目標，引進新的記憶體架構與新材料不僅是大勢所趨，也是下一波競賽的重要關鍵。…
松下完成採用FeRAM之系統晶片產品開發 (2003.07.11)
據日本經濟新聞報導，松下電器產業於日前宣佈該公司已研發完成0.18微米製程、採用8Kb強介電值隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM；FeRAM）的系統晶片產品；該產品初步將應用在IC卡、定期票券上，預計2003年12月可導入量…
半導體設備是否復甦 業者、分析師看法不一 (2003.01.08)
據Silicon Strategies報導，儘管整體IC產業可望在2003年緩慢復甦，但在產業策略研討會（Industry Strategy Symposium；ISS）中，晶圓設備業、產業分析機構對於2003的景氣變化看法仍然不一致。 半…