據日本經濟新聞報導，松下電器產業於日前宣佈該公司已研發完成0.18微米製程、採用8Kb強介電值隨機存取記憶體（Ferroelectric RAM；FeRAM）的系統晶片產品；該產品初步將應用在IC卡、定期票券上，預計2003年12月可導入量產。
該報導指出，目前標準型記憶體領域以PC用DRAM及手機、數位相機用快閃記憶體為2大勢力，但隨著電子產品高機能化，未來記憶體市場將會有一番更動。DRAM等現存記憶體雖然亦被整合應用在家用電視遊樂器、手機、PDA等產品上，但是在耗電量等方面的問題，仍無法完全克服。
FeRAM為非揮發性記憶體之一種，並具有高速讀寫、低耗能等特徵。松下半導體社長古池進表示，未來FeRAM甚至有可能取代快閃記憶體或是DRAM，廣泛用於手機、PDA等可攜式產品上。而目前採用FeRAM的系統晶片市場規模雖仍有限，但是到2010年將擴增至6000億日圓的規模，而松下亦預估，在2007年該事業營收將達到千億日圓。
松下的新產品預計在年底進入量產，初期月產能約為50萬顆，預計到2005年月產能將提高至100～200萬顆。松下亦將持續研發相關技術，計劃在2005度正式推出搭載FeRAM、具演算功能的系統晶片，將應用範圍擴大至可攜式產品上。
