外電消息報導，三星電子已研發出了世界首款40奈米製程的1GB容量DDR2動態記憶體產品，並預計在2010年開始進行量產。相較於50奈米的產品，40奈米不僅晶片面積較小、電耗低，同時還具備產能高等優勢。
據瞭解，三星電子透過此次40奈米1GB DDR2記憶體製程技術的開發，將有望在在09年實現40奈米2GB DDR3的開發和量產。此40奈米製程的2GB DDR3記憶體，將較08年量產的50奈米產品提高約60%的效率。相對於其他生產50~60奈米記憶體的對手，三星電子將可維持1至2年的領先優勢。
新一代的製程技術除了提供較佳的環保性能外，還為將來的DDR4等高速大容量產品等研發，奠定了相當的基礎。未來三星電子將可望在記憶體市場上維持龍頭的優勢。
