奇夢達公司宣佈先進的技術藍圖，此技術可達30奈米世代，並在cell尺寸可至4F²。奇夢達的創新Buried Wordline技術結合高效能、低功耗及小晶片尺寸的特性，再次拓展公司的多元化產品組合。奇夢達目前推出此尖端技術的65奈米製程，計畫在2008年下半年開始生產1Gbit DDR2產品。
奇夢達公司總裁暨執行長羅建華（Kin Wah Loh）表示：「這項新的技術將能改善生產力和位元成本至本公司前所未有的水準。我們是業界第一家宣佈30奈米世代的技術藍圖的廠商，且讓cell尺寸能夠小到4F²。這個技術的推出是我們做為領導記憶體產品開發的領導者，持續創新的結果。這也有助於我們開發新的合作機會。」
奇夢達的目標是於2009年下半年開始量產46奈米Buried Wordline DRAM技術。與58奈米溝槽式技術相比，此46奈米的Buried Wordline DRAM技術會提供每晶圓超過兩倍以上的位元。公司預計於2009及2010會計年度，將由自有資金來做為製程轉換的投資，此一次性約1億歐元的投資，將運用於轉換現有的溝槽產能至Buried Wordline技術。奇夢達運用Buried Wordline的技術和精簡的製程，加上主流的堆疊式電容，使得這項製程轉換僅需較低的投資金額。
