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高塔半导体日本扩产矽光子 联电新加坡厂抢攻AI光互连商机

Tower Semiconductor(高塔半导体)14日与日本经济产业省(METI)宣布,於日本启动扩产计画,预计总投资金额30亿美元(约合新台币970亿元,其中包含日本政府提供之10亿美元补贴专案),瞄准300mm矽光子、矽诌制程以及次世代先进光学封装产能。


此次扩产聚焦在把新泻县妙高市的原Arai厂(Fab 6)全面改建为高规格 300mm矽光子与先进光学封装中心,同时增加富山县鱼津市的Fab 7产能。此项制程将提供数倍成长的矽光子与矽诌晶圆代工能量。


另一方面,近期联电也宣布与矽光子新创SILITH合作取得重大突破,其新加坡12寸晶圆厂已成功交付首批量产的矽光子晶圆。联电也预计於2027年推出自有的12寸矽光子平台,以利更多客户进行产品开发与量产导入。
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