适用于高频功率应用的 IXD2012NTR 高压侧和低压侧栅极驱动器

Littelfuse公司今日宣部推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用於驱动两个采用半桥配置的N沟道MOSFET或IGBT。该IXD2012NTR针对高频电源应用进行了最隹化，具有卓越的开关性能和更高的设计灵活性。

图一 : IXD2012NTR 栅极驱动器提供 1.9 A拉电流和 2.3 A灌电流输出，以实现稳健的栅极驱动性能并提高开关效率

IXD2012NTR可在10V~20V的宽电压范围内运作，在自举操作中支援高达200V的高压侧开关，其逻辑输入与低至3.3 V的标准TTL和CMOS电平相容，确保与各种控制设备无缝整合。IXD2012NTR具有1.9A拉电流和2.3A灌电流输出能力，提供强劲的闸极驱动电流，是高速开关应用的理想选择。

此元件整合的交叉传导保护逻辑可防止高压侧和低压侧输出同时开启，同时透过高整合简化了电路设计。IXD2012NTR采用紧凑型SOIC(N)-8封装，工作温度范围在-40℃~+125℃，即使在恶劣工况条件下也能提供可靠的性能。
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