携手格芯 Microchip开始量产28奈米SuperFlash嵌入式快闪记忆体

GlobalFoundries、Microchip及其旗下子公司冠捷半导体（SST）今（28）日宣布，采用GF 28SLPe制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM解决方案即将投产。

图一 : 采用GlobalFoundries 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技术NVM 解决方案即将投产。

随着边缘智慧化水准的不断提高，嵌入式快闪记忆体的应用也呈爆炸式增长。在家庭和工业物联网以及智慧行动设备的广泛应用，用於安全程式码储存、OTA更新和增强功能的嵌入式记忆体正呈上升趋势。满足这些需求需要创新的平台。

在实施冠捷半导体应用广泛的ESF3 SuperFlash技术方面，GlobalFoundries确立新的行业基准。GlobalFoundries业务长Mike Hogan表示：「GlobalFoundries与冠捷半导体合作，在28SLPe平台上开发、认证并投产这款令人印象深刻的嵌入式NVM解决方案。GlobalFoundries的客户发现，这款解决方案集高效能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益於一身，非常适合先进的MCU、复杂的智慧卡及面向消费和工业产品的物联网晶片。」

Microchip 授权业务部门和冠捷半导体??总裁Mark Reiten表示：「过去十年，冠捷半导体与GlobalFoundries紧密合作，将冠捷半导体的行业标准ESF1和ESF3 嵌入式快闪记忆体技术整合到GlobalFoundries的130奈米BCD、55 奈米、40 奈米以及当前的28 奈米制程平台并实现产品化。我们钦佩GlobalFoundries在提供最广泛的嵌入式NVM解决方案方面的领先地位，期待双方的紧密合作关系在未来十年带来更多突破。」

在今天於慕尼黑举行的GlobalFoundries GTS峰会期间，SST在IP合作夥伴区展出其嵌入式快闪记忆体技术。

产品特点

· 成本最低的28奈米HKMG ESF3解决方案，仅增加10个遮罩，包括真正的5V IO CMOS元件

· SST ESF3 位元单元尺寸仅为0.04平方微米，极具竞争力

· 工作温度额定值为-40。C至125。C

· 读取存取时间为次25奈秒(ns)、程式设计时间为10微秒和抹除时间为4毫秒

· 超过100,000次程式设计/抹除??圈的耐用性

· 不影响使用GF 28SLPe平台合格IP的设计流程（EG 流程）

· 可立即提供4Mb至32Mb 的现成巨集程式

· 可从SST或GF获得客制化设计支援