台湾应用材料推出原子层沉积技术

应用材料公司宣布推出第一套「原子层沉积」（ALD：Atomic Layer Deposition）反应室，可在低温度范围下沉积薄而均匀的纯净薄膜；原子层沉积反应室能同时支援多种薄膜材料，包括金属与介电质薄膜。应用材料公司已将原子层沉积技术应用在先进接触层的钨金属成核层，以及可做为「线层」（liner）或是「五氧化二??」（Tantalum Pentoxide）电容器的电极的原子层沉积氮化??薄膜。

应用材料公司??总裁暨化学气相沉积与原子层沉积金属导线系统事业群总经理莫利斯·柯瑞（Moris Kori）博士表示：「新推出的原子层沉积技术采用多种突破性的设计，将可提供经济实用的晶片制造能力，支援即将到来的100nm晶片世代，并具备良好的扩充性，涵盖未来更精密的元件。同时我们已与多家客户共同合作，将原子层沉积制程导入300mm晶圆厂，并针对其它主要的化学气相沉积薄膜应用，继续发展这套技术。」

原子层沉积技术可在晶圆表面一层一层的沉积原子或分子。由於晶片的微电路结构越来越小，也越来越深，已达到100nm的精密度，因此传统的钨沉积技术，很难有效的填充这些电路结构。应用材料的原子层沉积方法将能支援奈米元件，并针对长宽比大於20：1的电路结构，提供均匀且无缝隙气泡的填充能力。此外，原子层沉积技术所须的温度远低於其它的化学气相沉积制程，可大幅减少晶圆承受的温度，同时能沉积出均匀完美无缺陷的「奈米结晶体」（nano-crystalline）结构，将适用於晶片的阻障层及成核层。
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