DRAM供需缺囗有解 估2027年供给量可??上修

基於2025年下半年开始，ASIC和AI推论应用发展，分别带动HBM3e、DDR5等需求，促使DRAM（动态随机存取记忆体）供需缺囗持续扩大，并推升整体DRAM利润率。除了大厂积极扩充产能，期待能在2027年上修供给量外，也不忘持续开发新品。

图一 : 记忆体大厂并购扩产补缺囗，估2027年供给量可??上修。

自2024年起AI带动HBM、DDR5、LPDDR5X等先进制程DRAM产品需求以来，Micron（美光公司）便持续执行美国ID1、新加坡HBM後段产能建设，并积极向外收购厂房，以缩短产能建置时程。

包含在台湾收购AUO台南厂2座、AUO Crystal台中厂，以及Glorytek台中厂，作为wafer probe（晶圆测试）、metallization（金属化）、HBM TSV等各项用途；亦规划将部分新加坡NAND Flash无尘室，改用於DRAM metallization。据统计至2025年Q3，Micron在全球DRAM产业的营收市占率达到25.7%，排名第三。
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