宏微科技HN系列1200V IGBT模組採用最新一代英飛凌高速型IGBT晶片，是少數市場上僅有的高速型IGBT模組，經由適當的封裝設計，該產品系列模組提供給客戶50A~800A不等的多款規格選擇。

宏微科技HN系列1200V IGBT模組能有效的增加終端設備的整體效率。

做為新興的電力電子半導體領導廠家，宏微科技發現市面上僅有極少數可供選擇的高速型IGBT大功率模組，絕大多數皆為10年前或甚至更早發表之產品，主要原因為頻率需要操作在20~200Khz的大功率應用設備並不甚普遍，IGBT模組廠商在此一領域相對較無計劃推出新產品方案。有鑑於此，宏微科技決定使用英飛凌HS3高速型IGBT晶片，進一步設計成大功率模組產品。

相較於市面上傳統的高速型IGBT模組，宏微科技1200V HN系列IGBT模組有以下幾項特點，包括晶片為最新溝槽式場截止型 (Trench-Field-Stop) 結構設計，Tj可高達175°C；更低的Vce壓降，有效降低30%以上的導通損耗 (Conduction Loss)；支持20~200Khz的大功率高頻開關應用，同時保有極小的EMI雜訊干擾；更高的功率密度，幫助客戶完成更小體積的產品設計以及為市面上總損耗最低的高速型大功率IGBT模組。

耀迅國際科技業務副總兼宏微國際業務辦公室負責人馮耀賢表示，HN系列高速型IGBT模組為行業上唯一使用溝槽式場截止型晶片的模組產品，該型晶片過去只封裝成IGBT單管 (Discrete) 型，很多客戶只能採用多個單管並聯方式，來達到大功率的電路設計，徒增繁瑣組裝及減低可靠度的困擾，宏微的高速型IGBT模組有效的幫助客戶簡化設計，同時增加客戶產品的運轉效率。

一般常見的大功率高頻應用包括高週波感應加熱裝置、逆變式電銲機、新能源逆變器、高頻UPS，及高性能汽車充電樁等，配合這些應用，常用的HN系列1200V IGBT模組規格有50A、100A、150A、200A、300A、400A半橋線路模組，以及300A、400A、800A一單元模組。