东芝公司（Toshiba）宣布研发出运用矽穿孔（TSV）技术的16颗粒（最大）堆叠式NAND快闪记忆体。东芝将于8月11~13日在美国圣克拉拉举行的2015年快闪记忆体高峰会（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型。

搭载TSV技术的16颗粒堆叠式NAND快闪记忆体（Source：Business Wire）

堆叠式NAND快闪记忆体的先前技术是在封装内运用打线接合法（wire bonding）连接在一起。而TSV技术利用垂直电极和贯穿矽晶片模的穿孔实现连接。该技术支援资料高速输入和输出，并降低功耗。

东芝TSV技术实现超过1Gbps的I/O资料速率，高于具有低电源电压的任何其它NAND快闪记忆体。核心电路1.8V，I/O电路1.2V，写入操作、读取操作和I/O资料传输的功耗降低约50%*2。

这款全新的NAND快闪记忆体为包括高阶企业级SSD在内的快闪记忆体应用提供理想的低延迟、高频宽和高IOPS/Watt解决方案。这项应用技术部分由日本新能源和工业技术开发组织（NEDO）研发。 （编辑部陈复霞整理）