近年來消費性電子和工控設備的電源在節能方面的要求升高，以期實現永續發展，因而能夠幫助提高功率轉換效率和實現元件小型化的GaN HEMT受到關注。但與Si MOSFET比較之下，GaN HEMT的閘極處理較為困難，必須與驅動閘極用的驅動器結合使用。半導體製造商ROHM針對伺服器等工控設備，和AC適配器等消費性電子設備的一次側電源，推出集結了650V GaN HEMT和閘極驅動器等技術的Power Stage IC「BM3G0xxMUV-LB」（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。
ROHM結合擅長的功率和類比兩種核心技術優勢，所開發出集結功率半導體—GaN HEMT和類比半導體—閘極驅動器於一體的Power Stage IC。這使得被稱為新世代功率半導體的GaN元件能更輕易地被導入。
新產品中匯集新世代功率元件650V GaN HEMT、能夠大幅發揮GaN HEMT性能的專用閘極驅動器，以及追加功能和周邊元件。另外，新產品支援更寬的驅動電壓範圍（2.5V～30V），具備支援一次側電源各種控制器IC的性能，因此可以替換現有的Si MOSFET（可稱為Super Junction MOSFET）協助減少伺服器和AC適配器等應用損耗。與Si MOSFET相比，元件體積可減少約99%，功率損耗可降低約55%，因此可同時實現更低損耗和小型化。
新產品於2023年6月已量產。另外新產品及對應的三款評估板（BM3G007MUV-EVK-002、BM3G007MUV-EVK-003、BM3G015MUV-EVK-003）也已開始透過電商平台銷售。
