據網站Silicon Strategies報導，在IBM、Cypress、Infineon、NEC及Motorola等業者相繼投入人力物力，開發最新磁電阻式隨機存取記憶體（MRAM）之後，南韓三星電子也宣布加入此一新型記憶體的研發行列，並表示該公司已在技術上獲得重大突破。
MRAM被視為是SRAM、DRAM及快閃記憶體（Flash）後最具潛力的記憶體產品，可望一次取代上述三種產品，因而吸引許多記憶體業者相繼投入開發行列；據了解，目前在研發上成效最佳的廠商為Motorola，該公司預估2003年可以生產出樣品，2004年則可發表4M容量的嵌入式系統用MRAM。
目前MRAM在開發上的最大瓶頸在於如何量產，雖然各家業者幾乎都有能力開發出原型產品，但量產則會受到氧化層厚度微小誤差的影響，使得產品特性大不相同，據該報導指出，氧化層厚度誤差0.1埃，就會讓MRAM磁通道接面（MTJ）阻值產生相當大的變化。
而南韓三星電子則宣佈已在MRAM的開發上已取得重大突破，並解決了氧化層厚度可能產生的問題；三星表示，該公司因採用分區感應（Sensing）架構製造MRAM，每一個區域都擁有自身參考值，即使氧化層厚度變化過大，也可根據參考值將阻值降到最低，三星指出，其產品MTJ約在2.5～11歐姆間。
