國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出25V同步降壓轉換器DirectFET MOSFET晶片組，適用於負載點(POL)轉換器設計，以及伺服器、高端桌上型電腦和筆記簿電腦應用。
新25V晶片組結合IR最新的HEXFET MOSFET矽技術與先進的DirectFET封裝技術，把高密度、單一控制和單一同步MOSFET解決方案整合在SO-8元件的佔位面積，並採用了0.7mm纖薄設計。新的IRF6710S2、IRF6795M和IRF6797M元件的特點包括導通電阻(RDS(on)) 非常低，也同時具備極低的閘電荷(Qg)和閘漏極電荷(Qgd)，以提升效率和溫度效能，並可在每相位逾25A的情況下運作。
IR台灣分公司總經理朱文義表示：「IRF6710S2控制MOSFET擁有極低的閘電阻及電荷，而且，當與IRF6795M和IRF6797M這些包含整合式蕭特基 (Schottky) 整流器的同步MOSFET作協同設計時，能夠為高頻、高效率DC-DC轉換器提供解決方案，讓整個負載範圍也可以發揮卓越性能。」
IRF6710S僅為0.3 Ohms的極低閘電阻和3.0 nC的超低米勒電荷(Qgd)，則可大幅減低開關損耗，使這些元件非常適合作為控制MOSFET之用。
IRF6795M和IRF6797M擁有極低的RDS(on)，故當整合式蕭特基整流器降低二極管傳導損耗和反向修復損耗，這些新元件就能顯著減少傳導損耗，所以十分適合高電流同步MOSFET電路。IRF6795M和IRF6797M採用通用MX佔位面積，因此能輕易由原有SyncFET元件邁向使用新元件。
