EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應電晶體 （eGaN FET），元件型號?EPC2067，專?設計人員而設。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用於高性能且空間受限的應用。
宜普電源轉換公司（EPC）是增?型矽基氮化鎵功率電晶體和積體電路的全球領導者。新推的EPC2067（典型值? 1.3 mΩ、40 V）擴大了可選的低壓元件，可立即供貨。
EPC2067非常適合需要高功率密度的應用，包括48 V-54 V輸入伺服器。較低的閘極電荷和零反向恢復損耗可實現1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效並在9.3 mm2 的微小佔位面積內，實現高功率密度。
EPC公司首席執行長兼共同創辦人Alex Lidow 說：「“EPC2067元件專?從40 V-60 V轉至12 V的LLC DC/DC轉換器的二次側而設計。與上一代40 V的GaN FET相比，這款40 V元件具有更高的性能和成本效益，從而讓設計師可以在更低的成本下，實現更高的效率和功率密度。」
EPC90138開發板的最大元件電壓?40 V、最大輸出電流?40 A，配備板載閘極驅動器的半橋元件，採用了EPC2067 eGaN FET。這款 2”x 2”(50.8 mm x 50.8 mm) 的電路板專?實現最佳開關性能而設計，並且包含所有關鍵元件，讓工程師易於評估EPC2067元件。
