諸如馬達控制逆變器應用和高效能電源系統等行業應用，系統設計工程師力求在單一 IC 封裝中，實現高度整合的閘極驅動和保護功能，以簡化設計並提高效率。最新開發的 FOD8332 是一款先進的 2.5 A 輸出電流 IGBT/MOSFET 驅動光耦合器。
該元件的額定絕緣工作電壓 (VIORM) 為 1,414V，較之競爭產品高 13%，可直接驅動 1200V 的 IGBT。共模瞬態抗雜訊 (CMTI) 較之競爭方案高一倍以上，開關期間每週期動態功耗 (ESW) 較之競爭產品低 50% 。
這些高壓元件令具有特定額定功率的系統能夠在更高電壓及更低電流的條件下工作，同時可抑制雜訊，降低損失，使逆變器工作更高效。
FOD8332 整合必要的關鍵性保護功能，防止故障的發生，從而確保不會產生破壞性的 IGBT 熱變形現象。由於大多數保護功能採用內嵌設計，可降低設計的複雜性，無需電路板設計者再使用額外元件。
該元件採用Fairchild專有的 Optoplanar共面封裝技術及最佳化的 IC 設計，以實現高壓絕緣和較高的抗雜訊效能，並且具有較高的共模抑制。
該元件採用寬體 16 pin 小型塑膠封裝，在緊湊的包裝內即可實現較高的隔離性能。
Fairchild體隔離和光電技術總監 John Constantino 表示︰「Fairchild為客戶提供一個獨特的組合，包含功率元件、設計上的專門知識和製造上的經驗，從而能有設計出令人驚豔的電子產品之能力。FOD8322 開發之前採納客戶意見，並且整合了專為解決客戶所面臨的難題而設計的若干功能。這正是我們專注客戶需求的重要組成部分，亦是我們致力於成為創新電源管理解決方案重要資訊來源的目標。」
重要特色︰
‧ 輸入端 LED 驅動，輔助接收來自 PWM 輸出的數位編碼訊號
‧ 光學隔離故障感測回饋
‧ 高 dv/dt 期間，主動米勒箝位可關斷 IGBT，無需負電源電壓
‧ 透過共模抑制實現高抗雜訊特性 - 35KV/μs（最小值），VCM = 1500 V（峰值）
‧ 為中等功率 IGBT 提供 2.5 A 峰值輸出電流的驅動能力
‧ 輸出級 P 通道 MOSFET 使輸出電壓擺幅接近供電軌(Supply rail) （軌到軌輸出）
‧ 較寬的電源電壓範圍： 15 V 至 30 V
‧ UL1577，一分鐘 4,243 V RMS
‧ DIN-EN/IEC60747-5-5 (待定)：
‧ 1,414V峰值工作絕緣電壓
‧ 8,000V峰值瞬態隔離額定電壓
‧ 8 mm 沿面和間隙距離
應用：
‧ 隔離 IGBT/功率 MOSFET 閘極驅動
‧ 可再生能源 - 光伏逆變器、風能逆變器
‧ 交流和無刷直流馬達驅動
‧ 工業用逆變器
‧ 不間斷電源
‧ 感應加熱
