英特爾位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒的英特爾研發基地中，研發人員已完成商用高數值孔徑極紫外光微影設備（High NA EUV）組裝。此台由微影技術領導者艾司摩爾（ASML）供應的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影設備，將開始進行多項校準步驟，預計於2027年啟用、率先用於Intel 14A製程，協助英特爾推展未來製程藍圖。此設備將投影印刷成像到晶圓的光學設計進行改造，明顯提升下世代處理器的圖像解析度和尺寸縮放。
High NA EUV微影設備在先進晶片開發和下世代處理器生產中扮演關鍵角色。英特爾晶圓代工布署的High NA EUV微影設備，將為晶片製造帶來精準度和可擴充性，協助英特爾開發創新功能完善的晶片，加速推動AI和其他新興技術的發展。
ASML位於荷蘭費爾德霍芬總部的高數值孔徑實驗室首次列印出10奈米的高密度線路，創下EUV微影設備解析度的世界紀錄，成為EUV微影設備迄今為止列印出最精細的線路。這項突破也讓ASML的合作夥伴蔡司（ZEISS）在High NA EUV微影設備上的創新光學設計獲得驗證。
