一組在電子與電腦專門學校（英國南安普敦-Southampton大學）的工程師，不久前發展了一個新方法，製作出比目前元件裝置快兩倍的雙極晶體管電晶體。雙極電晶體是一種固體狀態的半導體元件，通常應用在行動電話與個各種無線電系統上。
根據從事此項研究的Peter Ashburn教授談到，這是他們與STC Microelectronics所作的共同研究，研究人員使用標準的雙極矽晶體管技術，以及氟植入體來傳送出記錄高達110 GHz的執行速率，這是目前電晶體速率的兩倍。
「經由使用氟植入體，此一電晶體就可以在一個較高的頻率上作業，這意謂它能以兩倍快於以前速率的基本概念。」Ashburn教授如是說。
使用氟植入體，在電晶體的基質上可以抑制硼的擴散，這也表示基底的寬度變得更窄了，如此就能使電子穿越移動的速度變得更快。
Ashburn教授進一步說明：「此一研究的成果將可使電子產業界，只增加些微的成本，就能達到更佳的執行效能。」
Ashburn教授與他的研究小組相信未來還有空間，將硼擴散進一步降低達百分之五十。他們現在正在觀察有關氟運作的行為模式，並且注意是否有其它材料也能夠抑制這種擴散。Ashburm評論道：「無論如何，我們已經打破了世界記錄，也改善矽晶效能達到一定的程度。」
