無晶圓廠潔淨技術半導體公司Cambridge GaN Devices（CGD）與工業技術研究院（ITRI）簽署合作備忘錄，以鞏固雙方在開發高性能氮化鎵USB-PD適配器的合作夥伴關係。
CGD致力於開發多種節能的氮化鎵（GaN）器件，以實現更環保的電子元件。CGD首席商務總監Andrea Bricconi表示：「CGD將在6月於紐倫堡舉行的PCIM展覽上的展示ITRI的一些電路板設計。 這些產品利用CGD獨特的IC晶片架構和ITRI的專利設計，以實現產品尺寸縮小、高效率、高功率密度及成本競爭力。」
GEL/ITRI商用電源設計團隊負責人Wen-Tien Tsai表示：「CGD的IC增?型氮化鎵—ICeGaN此系列產品是一個新穎的平台。它提高了易用性，導入智能溫度控制，並增強閘極的可靠性。 我們很高興將這些優勢納入我們新的電源設計中。」
CGD和工研院將合作設計一個採用GaN器件的USB-PD適配器，為電動汽車、電動工具、筆記型電腦和手機應用開發功率密度超過30 W/in3的140-240 W範圍的電源解決方案。
