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意法最新雙極性功率電晶體媲美MOSFET的能效並節省電路板空間

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意法半導體的3STL2540提供雙極性電晶體的成本優勢和矽面積使用效率,同時兼具同等級MOSFET的能效,為設計人員提供一個節省空間的低成本電源管理和DC-DC電源轉換器(DC-DC converters)解決方案。

3STL2540是一個-40V/-5A PNP電晶體,在完全飽和狀態時,最大電壓降(voltage drop)為200mV,基極電流(base current)僅為10mA。等效導通電阻僅為90m?,接近同等級超級邏輯層MOSFETs (super logic-level MOSFETs)的性能。

3STL2540的核心技術是意法半導體的先進的雙金屬層平面基島技術(base island technology),在0.2到10V的寬輸出電壓下,溫度在攝氏-30°C到150°C範圍內,連續高電流增益(consistently high current gain,hFE)至少保持在100,創下業界同類元件最低的導通損耗記錄。高熱效率封裝PowerFLAT?僅0.6mm高,封裝面積為2mm x 2mm,在最小的印刷電路板內實現高性能功率電路。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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