ROHM推出顶部散热SiC MOSFET全新封装 可兼顾高散热与高耐压！

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）推出SiC MOSFET的TSC3PAK（14.00×18.58×3.50mm）封装。新产品为可自动安装的表面安装型产品，透过将散热面置於封装顶部的结构，实现了与??装型封装（TO-247-4L）同等级的散热性能。将该元件运用於电动车（xEV）车载充电器（OBC）和电动压缩机等应用时，有助提升功率转换电路的效率和可靠性。

新产品透过ROHM独家沟槽设计，确保了业界最高等级※6.66mm的沿面距离*1 。此外，新产品不仅与市场上常见封装相容，同时实现了污染等级2级*2 环境下1200V交流峰值电压耐受能力。因此在高耐压应用中可实现安全的绝缘设计，助力降低安装成本并提高可靠性。

图1

另外透过ROHM第4代SiC MOSFET，更实现了低导通电阻和高速开关特性，使功率转换时的开关损耗大幅降低，有助应用产品进一步提高效率并更加节能。
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