ROHM开发出实现业界顶级低损耗650V耐压IGBT

半导体制造商ROHM（总公司：日本京都市）开发出650V耐压第4代IGBT*1，非常适用於车载电动压缩机、HV加热器以及工业设备用变频器等应用。作为支援车载应用的650V等级产品，实现了业界顶级※低导通损耗VCE(sat)＝1.55V，同时具备出色的短路耐受能力*2，符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101*3。

该产品透过改善制程以及包含周边结构在内的元件结构，提高了电流密度，同时降低了导通损耗和开关损耗。而且与低损耗特性难以兼顾的高短路耐受能力在Tj=25℃时也可达到7微秒（μs）。因此非常有助应用产品进一步提高效率和可靠性。

图1

产品阵容包括采用TO-247N封装的「RGAxxTS65HR／RGAxxTS65EHR」共12个型号，和裸晶片形式的「SG83xxWN」共10个型号。另外ROHM也正在开发TO-247-4L封装的「RGAxxTR65HR／RGAxxTR65EHR」共12个型号的产品。
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