HBM进入良率工程战 3D检测跃升AI记忆体关键设备

AI晶片持续拉升HBM需求，记忆体竞争正在由容量、频宽与传输速度，进一步深入「良率工程（Yield Engineering）」。随着HBM从8层、12层往16层堆叠发展，TSV、Micro-bump与Bonding结构更加密集，任何单层DRAM Die或接合缺陷，都可能造成整颗高价HBM封装报废，使检测设备的重要性快速提高。

韩国非破坏检测设备商SEC目前正测试HBM用X-ray Inline Inspection设备Semi-scan H，锁定堆叠完成後的内部缺陷。相关产业资讯指出，目前12层HBM已进入量产，16层产品则逐步进入客户验证，部分接合Pitch也由约25微米向22微米以下推进，进一步提高内部缺陷辨识难度。

图一 : HBM堆叠层数提高，竞争从频宽进入良率工程，先进检测成量产新门槛。

传统光学检测难以穿透矽晶片观察封装内部，超音波检测提高频率以辨识微小缺陷时，又会面临穿透深度下降问题，因此X-ray与3D CT开始成为重要补充工具。SEC在SEMICON Taiwan展示的Semi-Scan-SW，可针对HBM堆叠制程侦测约3至5微米缺陷，也可延伸至玻璃基板TGV与Chip-to-Interposer Bonding检测。
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