CTIMES- HBM4挑战内部缺陷 X-ray成先进封装新关卡

HBM4将AI记忆体竞争推向更复杂的3D异质整合。除了提高频宽与堆叠容量，新一代HBM开始把DRAM Stack与Logic Base Die、TSV及先进封装更紧密整合，制程中的微小Void、Bump异常、Bonding偏移或TSV缺陷，都可能影响整颗产品良率，使「看见封装内部」成为量产工程的新挑战。

韩国X-ray设备商SEC正进行HBM Inline Inspection设备客户验证。其技术路线利用X-ray穿透多层矽晶片，在不破坏封装的情况下检查堆叠内部；相较只能观察表面的光学设备，更适合辨识多层HBM完成堆叠後被遮蔽的接合缺陷。

SEC先前已开发Semi-Scan-SW，可检查HBM堆叠中约3至5微米等级缺陷，并将应用延伸至TGV玻璃基板以及晶片与Interposer之间的Bonding。公司并自行开发X-ray Tube等核心元件，显示检测设备竞争也开始往X-ray光源、成像演算法与AI缺陷辨识等核心技术深化。
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