英飞凌推出新型高功率LDMOS电晶体系列产品

英飞凌科技於在美国波士顿所举办的IEEE MTT-S国际微波技术研讨会(International Microwave Symposium)上宣布推出可供设计宽频无线网路基地台的高功率LDMOS电晶体系列产品。新型电晶体的功率位准高达300W，视讯频宽超过90 MHz，完全支援由3G发展为4G无线网路所需的高峰值对均值功率比(peak to average power ratio)以及高资料传输速率规格。

新型电晶体系列产品所提供的高增益及高功率密度，优於在1.4 - 2.6 GHz行动频带中运作的其他装置。如此将可使用体积减少30%的套件，设计更小型且成本更低的放大器。高峰值功率有助於设计Doherty放大器，以及减少其他架构中的零件数量。

德国英飞凌科技RF功率部门??总裁暨总经理Helmut Vogler表示，缩减功率放大器的尺寸，同时提供优异的能源效率，造就了更小型的基地台，进而让制造商能够以最适成本，提供高效、环保的系统解决方案。
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