Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用

全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件。新元件还具备Transphorm经验证的高压动态（开关）导通电阻可靠性取代市场上主流的代工e-mode氮化??所缺乏的可靠性。

图一 : Transphorm推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，为SMD高功率系统带来SuperGaN的常闭型平台优势，可实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量。

这三款表面贴装型器件（SMD）可支援平均运行功率范围为1至3千瓦的较高功率应用，这样的电力系统常用於高性能领域，如运算（人工智慧（AI）、伺服器、电信、资料中心）、能源和工业（光伏逆变器、伺服电机）以及其他广泛的工业市场。目前，氮化??在这一市场领域的全球潜在市场规模（TAM）达25亿美元。值得关注的是，该新型功率元件是目前快速发展的AI系统最隹化解决方案，AI系统依赖於GPU，而GPU的功耗是传统CPU的10到15倍。

目前，各种高性能领域的主流客户开始采用Transphorm的高功率氮化??元件，为其高性能系统提供电力支援，应用领域包括资料中心电源、高功率电竞PSU、UPS和微型逆变器等。新型TOLL封装器件也能够用於电动汽车的DC-DC转换器和车载充电器应用，因为核心SuperGaN晶片已通过汽车行业（AEC-Q101）标准认证。
...
...

另一名雇主	限られたニュース	文章閱讀限制	出版品優惠
一般使用者	10/ごとに 30 日間	0/ごとに 30 日間	付费下载
VIP会员	无限制	25/ごとに 30 日間	付费下载