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创新3D缓冲记忆体 助力AI与机器学习

开放式高速互连协定CXL记忆体介面的近期导入提供新兴记忆体全新契机,在资料密集型运算应用中,与动态随机存取记忆体(DRAM)各显优势。imec的研究显示,包含氧化????锌(IGZO)传导通道的3D整合式电荷耦合元件(CCD)记忆体是绝隹的潜力元件。


AI与机器学习如何改变传统的运算架构


图一 : 透过技术发展可以提高DRAM密度,以解决对DRAM持续增长的需求,并跟进处理器逻辑元件的性能升级。
图一 : 透过技术发展可以提高DRAM密度,以解决对DRAM持续增长的需求,并跟进处理器逻辑元件的性能升级。

数十年来,动态随机存取记忆体(DRAM)一直是传统冯纽曼电脑架构的主要记忆体。其功能是暂时储存资料和程式码,并利用双倍资料速率(DDR)汇流排,把这些资讯??入处理器的快取记忆体。DRAM能以位元组(byte)为定址单位,这表示它可以一次定址单个或数个位元组。其中一个最关键的指标是短延迟,即在50奈秒的时程内完成第一个位元组定址的能力。快速撷取程式码最需要这项规格,这些程式码一般包含随机分布在DRAM晶片内的分支指令。
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