Microchip全新 DualPack 3 IGBT7电源模组提供高功率密度

随着市场对小型化、高效率及高可靠度电源解决方案的需求日益增加，具备高功率密度并能简化系统设计的电源管理元件正快速成长。Microchip Technology全新一代 DualPack 3（DP3）电源模组系列，采用先进 IGBT7 技术，包括六款新产品，因应高密度、低成本、易於整合的电源转换应用需求，设计具备 1200V 与 1700V 电压等级，电流范围自 300 至 900 安培。

图一 : Microchip全新 DualPack 3 IGBT7 电源模组简化系统整合设计，六款新型产品锁定马达驱动、资料中心及永续应用等高成长市场。

这些模组采用最新 IGBT7 技术，相较於 IGBT4 元件，功率损耗最多可降低 15% 至 20%，并可在过载情况下稳定运作於高达摄氏 175 度的温度下。DP3 模组在高压切换时提升保护与控制能力，适用於工业驱动、再生能源、牵引系统、储能系统以及农业车辆等领域，可有效提升功率密度、系统可靠度与使用便利性。

DP3 电源模组透过先进封装设计，省去并联多颗模组的需求，有效降低系统复杂度与物料清单（BOM）成本。DP3 模组提供符合业界标准 EconoDUAL封装的替代方案，为客户提供更高弹性与供应链安全性。此外，DualPack 3 电源模组适合一般型马达驱动应用，对於业界常见的 dv/dt 问题、驱动设计复杂度、高导通损耗以及缺乏过载能力等挑战也能够有效解决。
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