力旺二代MTP布局Dongbu Hitek BCD制程 专攻电源管理应用

力旺电子宣布其第二代嵌入式可多次编写(Multiple-Times Programmable，MTP)记忆体矽智财NeoMTP已於Dongbu Hitek 0.18um BCD制程完成布局，专攻电源管理IC，因应日益增加的无线充电和USB Type C应用之需求。二代MTP记忆体面积缩小超过40%，提供更具经济效益的解决方案，目前已有客户完成产品设计定案(Tape-out)并且即将进入量产(Mass Production)。

力旺在Dongbu Hitek 0.18um BCD制程开发的NeoMTP矽智财拥有可在车规要求的温度区间(-40。C~150。C)编写达1,000次，且能在125。的高温下维持10年以上的资料留存的优异性能，同时，其2.6V-5.5V优於一般工作范围的操作电压区间及低功耗、高速读取等特性，有利於客户在产品设计上具备弹性及竞争力，并在无线充电和USB Type C等快速成长的市场享有明显的优势。

Dongbu Hitek行销??总Benjamin Sun表示：「力旺电子的嵌入式非挥发性记忆体解决方案有助於该公司在BCDMOS制程提供更完整的解决方案，为先进的类比与电源控制设计提供良好的基础及最隹化其成本效能。」
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