ROHM針對次世代800 VDC架構發表電源解決方案白皮書

半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）以創新半導體主要企業之姿，發表了針對次世代800 VDC架構的AI資料中心用先進電源解決方案白皮書。

本白皮書基於2025年6月發佈的「ROHM Delivers High-Performance Power Solutions Aligned with NVIDIA 800V HVDC Architecture」合作新聞稿內容，詳細闡述了ROHM為AI基礎設施適用的800 VDC供電系統，提供的最佳電源解決方案。

800 VDC架構是高效且可擴性強的供電系統，可助力實現GW（百萬瓩）等級AI工廠，有望為未來資料中心設計帶來革命性的轉變。

ROHM不僅提供矽（Si）功率元件，還提供包括碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）等豐富的功率元件產品群，是少數擁有類比IC（如可大幅發揮功率元件的性能的控制IC和電源IC）技術開發能力的全球化企業之一。

本白皮書不僅介紹了ROHM引以為傲的豐富功率元件和類比IC技術，還介紹了熱設計等各種模擬、電路板設計以及實際應用案例等整合電源解決方案。

＜白皮書請點擊這裡＞

＜本白皮書的要點＞

在AI資料中心，各機架的功耗激增，導致以往48V/12V的直流供電方式已接近極限。

往800 VDC架構轉型，將會顯著提升資料中心的效率、功率密度及永續發展能力。

在800 VDC架構下，以往在伺服器機架內進行的從交流電向直流電的轉換（PSU），將改為在獨立的電源機架內進行。

對於800 VDC架構而言，SiC和GaN元件變成不可或缺。電源機架部分的AC/DC轉換單元因移至IT機架外部，因此可實現更高效率的拓撲變得極為重要。另一方面IT機架部分的DC/DC轉換單元，為提高GPU集約度，採用可實現高功率密度的結構也非常重要。

在各轉換單元（如從交流電向800V直流電的轉換，或IT機架部分從800V直流電的降壓）中，支援800 VDC架構的拓撲藉由採用ROHM推薦的SiC和GaN元件，可實現更高效率、更低雜訊及週邊元件小型化，進而使功率密度得以大幅提升。

ROHM的EcoSiC系列產品以業界頂級低導通電阻著稱，其產品陣容中包括適用於AI伺服器的頂部散熱型模組等產品，非常有助提升功率密度。另外ROHM的EcoGaN系列透過超高速脈衝控制技術「Nano Pulse Control」、以及可大幅發揮GaN性能的類比IC技術，實現了穩定的高頻控制和閘極驅動，並已在市場上獲得高度好評。

朝向800V VDC架構的轉型意義重大，需要整體業界的協同合作。ROHM身為實現次世代AI工廠的重要合作夥伴，不僅持續與NVIDIA等業界領導者保持緊密合作，還將與資料中心運營商及電源製造商展開深度合作。例如ROHM於2022年就已經與台達電子達成了電源系統用功率元件戰略合作夥伴關係。ROHM將透過提供自身擅長的SiC和GaN等寬能隙半導體先進技術，為構建永續且高能效的數位化社會貢獻力量。