強化操作效率 Zetex提升MOSFET功率耗散

Zetex推出全新20V和30V N通道電晶體，將舊型SOT23封裝MOSFET的導通電阻減半、漏電流提升一倍，在25°C環境溫度下功率耗散由625mW提升至1W。

新的ZXMN2A14F及ZXMN3A14F強化溝道MOSFET，採用Zetex SOT23封裝，再加上接點至環境的熱阻比舊型SOT23元件低37%，由每瓦特200°C銳減至125°C，這兩款元件更可發揮極大的效益。

20V N通道MOSFET可在60mΩ 導通電阻和4.5V柵驅動下，提供4.1A的連續漏電流。30V元件在65mΩ 導通電阻和10V柵驅動下的連續漏電流可達3.9A。

Zetex亞太區有限公司董事總經理David Slack表示，兩款新的MOSFET元件結合了低導通電阻與快速開關的優點，適合用於高效率、低電壓的功率管理應用，例如直流-直流轉換器、隔離開關及馬達控制器。