格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位

隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸置疑，正進入以「品質、效率與供應安全」為主軸的新一輪成長週期。

圖一 : (左起)格棋化合物半導體業務處長吳義章、董事長張忠傑、人資長賴雅玲

張忠傑強調，格棋作為台灣少數具備自主長晶與製程能力的業者，將於今年第四季正式登錄興櫃，藉此推進資本與技術的雙重布局。他表示：「碳化矽並非快速爆發的市場，而是仰賴長期技術壁壘與應用黏著度。格棋的目標，就是要在這個關鍵材料鏈中建立穩固而有韌性的地位。」

根據Yole Group最新《Power SiC 2025》報告，2030年全球碳化矽功率元件市場將突破103億美元，年均複合成長率達20%以上。報告顯示，6吋晶圓仍是現階段主流平台，並在價格與良率上具備成熟優勢；而8吋晶圓則將在未來數年逐步放量，與6吋長期並存。
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