无线通信持续发烧，GaAS砷化镓磊芯片成为全球当红炸子鸡，继博达、全新量产HBT磊芯片后，胜阳光电日前宣布以有机金属气相磊晶成长法(MOCVD)制程试产成功砷化镓磊芯片，现接受美国大厂质量验证中，预计今年第三季后将可大量投产。

GaAs砷化镓磊芯片在历经1年的投入研发后，已宣布试产成功。由于国际磊芯片严重缺货，该公司除原有2台4吋MOCVD生产机台已投产外，六月前将另有2台机台也将到位，产能将成长1倍；该公司估计，以目前每台月产能1000片计，第三季后，总月产能将达4000片。在产能逐渐稳定成长下，该公司计划明、后年各再引进5台机台，并于公元2003年将生产线扩充至19条。