凌力尔特(Linear Technology)发表一款单端高压理想diode-OR控制器LTC4357，其提供在多重、 N+1 备援、电源供应应用及高可用性系统中取代萧特基OR-ing二极管的简单低损耗方案。 LTC4357可控制外部N信道MOSFET以执行低顺向电压二极管功能。 于高压应用中，提供比Schottky二极管更低损耗的路径，不只更具效率，更因不需散热片而保留宝贵的板面空间。 LTC4357可控制横跨MOSFET的顺向压差，以确保路径间和缓地切换，且不产生振荡或逆向DC电流。

单端高压理想diode-OR控制器LTC4357 BigPic:314x224

LTC4357的单一diode-OR可被用于将多个供电并联以提供负载分享的应用中。在N+1备援系统中，加入另一额外供电后，可于N供电之其中一个故障时保护系统。而将供电链接在一起能提供针对带电插入的隔离，去除电源总线的转换器，且在硬短路状态时隔离于总线之外。如果供电故障或短路，LTC4357可确保快速的0.5us关机，以使逆向电流瞬变降至最低。LTC4357同样可用来提供对逆向电压的保护，提供对于后级电子逆向输入保护。此外，其能透过Hot Swap控制器控制及维持(hold-up)电容，在输入电源损耗后亦维持一段时间的输入供电，由于输入供电只短暂中断，因此不需重新设定或重新启动，而能使系统持续运行。

LTC4357的9V至80V宽广操作范围，能以如12V分布式总线架构之两个正向供电，或如-48V AdvancedTCA(ATCA)应用中，两个负向供电的反折路径支持diode-OR应用。LTC4357可于插入时承受快速dV/dt瞬变，提供锁住免疫。