英飛凌科技(Infineon)在應用電源電子研討會（APEC）上宣佈在OptiMOS 3 N通道MOSFET(場效應電晶體)產品陣容，新增三個新的功率半導體家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在關鍵功率轉換規格如通態電組的指標性能，可降低標準晶體管型封裝(TO)的功率損失達30％。在一個特定的標準（晶體管提綱）封裝。OptiMOS 3 40V、60V和80V家族的低開關損耗及通態電阻特性，比起市售同級產品，增加功率密度達30％，減少相同電路應用的零件數。

這幾款新型場效應晶體的設計主要針對各種功率轉換與管理方面的應用，包括電腦、家用電器、小型電動車、工業用自動化系統、電信設備，以及如電動工具、電動割草機與電扇等消費性電子產品，所使用的SMPS（交換式電源供應器）、直流/直流轉換器與直流馬達驅動器。

新款OptiMOS 3產品家族成員中，包括RDS(on)(通態電阻)的場效應電晶體，例如RDS(on)低至1.6m的40V SuperSO8封裝、3.5m的60V D-PAK封裝、2.5m的80V D2-PAK封裝。這個家族的FOM（優位指數，計算公式為通態電阻乘以閘電荷）超越市售產品幅度達25％，具有快速交換及同時最低的傳導損耗與通態功率散逸，從而達到更高的功率密度。另外也能減少驅動裝置產生的熱量，因而提高系統的可靠性。此外，低RDS(on)也能縮小晶體封裝尺寸，例如達3毫米×3毫米的S3O8(Shrink SuperSO8)，減少佔用電路板的空間。