IR宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體陣營 (2011.11.18)

國際整流器公司（IR）日前宣佈擴充其600 V溝道絕緣柵雙極電晶體（IGBT）陣營，為不斷電系統（UPS）、太陽能、工業用馬達及焊接應用推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件。 (圖一)IR推出IRGPS4067DPbF和IRGP4066DPbF元件，應用於不斷電系統、太陽能、工業用馬達及焊接等領域...

英飛凌生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片 (2011.10.14)

英飛凌（Infineon）近日發表，已於奧地利菲拉赫（Villach）據點生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片（first silicon），成為全球首家進一步成功採用此技術的公司。採用300毫米薄晶圓生產之晶片的功能特性...

日月光在重慶的投資計畫將在2009年4月動工 (2008.12.31)

外電消息報導，日月光集團將在重慶市首個投資計畫將在2009年4月動工，未來該工廠將以生產消費性電子應用的零組件為主，以及一些電子元器件，預計年產值將可達10億美元...

聯電致力發展22奈米以下製程12吋晶圓 (2008.08.04)

半導體研究開發協會美國Sematech與聯電（UMC）在2008年7月28日共同宣佈，聯電已經決定加盟Sematech。據了解，聯電加盟該協會之後，未來將致力於研發包括22nm以後製程技術的12吋晶圓技術...

英特爾呼籲半導體業界轉向18吋晶圓生產 (2007.11.20)

外電消息報導，英特爾（Intel）日前對媒體表示，目前英特爾正在進行18吋（450毫米）晶圓廠的轉換工作，並預計在2010年時完成此一目標，以提高整體的晶片生產效能。 據報導...

國際晶圓製造聯盟將展開新18吋晶圓研發計畫 (2007.07.18)

根據外電消息指出，國際晶圓製造聯盟（International Sematech）將展開一項新的18吋晶圓研發計畫；在過去，Sematech曾經支持一項名為300mmPrime的計畫，這個計畫的目標在於改善8吋晶圓的整體效率，在某種程度上，未來這個計畫將作為移轉到18吋晶圓之間的一個過渡橋樑...

安森美半導體推出HighQ IPD製程技術 (2007.07.09)

安森美半導體（ON Semiconductor）宣佈擴充先進製程技術，提供HighQ銅整合被動元件(IPD, Integrated Passive Device)製造服務，這個創新的八吋晶圓技術可以提供比較簡單的矽銅技術更高的效能，但在成本上卻比昂貴的超高效能砷化鎵-金被動產品要低上許多...

英特爾推動矽晶圓技術創新 (2007.04.19)

英特爾高階主管在英特爾科技論壇(Intel Developer Forum, IDF)上描繪行動運算技術的未來趨勢，表示個人化及內容是增加筆記型電腦與移動聯網裝置(mobile Internet devices, MID)市場需求的關鍵驅動力...

提供遊戲機更強處理能力的SOI技術 (2007.02.27)

新一代的遊戲系統需要最複雜的晶片（微處理器），且能在合理的價格下，擁有最高效能與省電的功能。SOI針對這些產業的需求，提供了最佳的解答。這就是為什麼SOI會被使用在Xbox 360、 Nintendo Wii及PS3等最先進的遊戲主機當中，並且也將快速被廣泛使用在遊戲之外的其他應用...

茂德進軍大陸 並赴海外設立感測器設計公司 (2007.01.10)

茂德正式通過向經濟部投審委員會提出大陸八吋晶圓技術提升至0.18微米製程的申請案外，也同時通過赴大陸設立8吋廠公司案，另外為佈局手機整合性相關零組件市場，董事會也決議赴海外設立影響感測器的IC設計公司計畫...

探索虛擬世界的真實科技 (2006.10.30)

為了滿足遊戲玩家們的需索無度，遊戲機製造商研發新一代機種的腳步永遠不會停歇，性能更為強大的家用遊戲機將會是遊戲產業發展的主流。搭著半導體技術突飛猛進的順風車，新一代遊戲機的功能也如虎添翼...

SEZ發表全新單晶圓FEOL光阻去除解決方案 (2006.07.20)

半導體產業單晶圓溼式清洗解決方案的領導設備供應商SEZ Group，20日宣布其已發展出可簡化前段製程(FEOL)光阻去除程序之全新化學製程。SEZ專利的Enhanced Sulfuric Acid(ESA)去除製程使用一系列以硫酸為主要成分的化學製劑...

SEZ接獲晶圓製造商訂購Da Vinci的多機台訂單 (2006.06.26)

半導體產業單晶圓溼式清洗解決方案的設備供應商SEZ Group宣布其已接獲來自晶圓製造商訂購超過12台Da Vinci平台的多機台訂單。這些來自既有與新興的先進晶圓代工廠商客戶之訂單，繼先前韓國的訂購之後，進一步提昇了SEZ在亞太地區發展的潛能...

綜觀CMOS影像感測器技術特性 (2006.01.25)

傳統的CCD（電荷耦合元件）影像感測器技術已經無法滿足目前工業與專業攝影影像擷取之需求。業界以標準CMOS技術為基礎，開發出創新的區域感測器替代方案，這類CMOS元件具有極佳的彈性、優異的靜態與動態特性，以及易於與所有系統環境整合的功能，醫療電子就是最典型的創新應用...

可錄式DVD用高功率紅光雷射最新技術動向 (2005.12.05)

可錄式DVD除了應用於PC之外，未來隨著數位電視的開播，民生用可錄式DVD的需求勢必出現急遽的成長。由於DVD記錄速度的提升，因此半導體雷射也快速朝高功率方向發展。本文將介紹可錄式DVD用高功率半導體紅光雷射最新技術動向...

Soitec與SEZ合作加速應變絕緣矽基板的商業化時程 (2005.10.18)

Soitec Group與SEZ Group日前宣佈，雙方已著手計畫推動聯合開發計畫(JDP)，藉以加快新一代應變絕緣矽（sSOI）基板的商業化時程。在聯合開發計畫中，兩家公司將運用Soitec在工程基板的技術，以及SEZ在單晶圓、溼式處理技術之領先優勢，開發新型溼式蝕刻製程，提高在sSOI製程中去除鍺元素的作業效率...

SEZ與半導體廠合作開發對應FEOL洗淨解決方案 (2005.07.27)

全球半導體產業單晶圓溼式處理技術SEZ Group宣佈和一家記憶體元件廠達成合作研發計畫(JDP)的協議，針對量產型前段製程(FEOL)洗淨技術開發解決方案。雙方將合作開發先進的單晶圓溼式處理解決方案，大幅縮短65奈米以下製程的週期時間以提高良率、降低成本...

IR IGBT Co-Pack為高功率AC-DC開關電路創造效益 (2005.01.27)

國際整流器公司(IR)推出新晶體管IRGP50B60PD，將600V非穿孔式(NPT)絕緣閘雙極電晶體(Insulated Gate Bipolar Transistor – IGBT)與經強化的25A HEXFRED二極體聯合封裝，有效把開關速度提升至150kHz...

前瞻行動電話元件整合策略 (2004.07.01)

隨著手機朝向多媒體通訊裝置不斷演進，OEM廠商是否能依賴半導體整合技術，發展功能規格獨特的各種產品？技術導向策略能否帶領產業邁進真正的系統單晶片手機新時代？本文將探討技術導向整合的限制，並介紹目前可供使用的另一種替代策略──功能導向整合技術...

IR推出新款隔離式封裝Co-Pack NPT IGBT (2003.07.03)

國際整流器公司（International Rectifier）推出全新600V非穿孔式 (NPT) IGBT，該產品採用TO-220全隔離封裝 (Full-Pak)，隔離效能保證最低限度為2kV；此裝置同時與IR新一代超高速、軟性恢復二極體聯合封裝，更於製作過程中進一步結合了IR先進的薄晶圓技術...