英飛凌生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片

英飛凌（Infineon）近日發表，已於奧地利菲拉赫（Villach）據點生產出首款300毫米薄晶圓之功率半導體晶片（first silicon），成為全球首家進一步成功採用此技術的公司。採用300毫米薄晶圓生產之晶片的功能特性，與以200毫米晶圓製造之功率半導體相同，已成功通過在高壓應用產品中使用金氧半導體場效電晶體（Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET）的應用測試證明。

英飛凌董事會成員，負責運籌、研發及勞方主管Reinhard Ploss博士表示，英飛凌工程師的成就，代表生產技術的大躍進。創新奠定了獲利成長的基礎，也確保該公司的競爭優勢。

2010年10月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設立300毫米晶圓及薄晶圓技術的功率半導體前導生產線。目前該團隊擁有50名工程師和物理學家，來自研究、開發、製造技術及市場行銷等各個領域。