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GaN與SiC如何解開AI能源封印？ (2026.06.10)
在AI這個由矽晶片與光纖交織成的虛擬未來裡，人類文明的瘋狂演進，最終依賴的依然是我們管理電子的能力。每一分轉換效率的提升，每一微秒的故障隔離，背後都是無數工程師與半導體材料的生死搏鬥 |
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MIT成功以單晶片鑽石薄膜大幅提升GaN晶體管散熱效能 (2026.06.09)
隨著6G通訊技術與衛星通訊硬體向更高頻段、高功率方向演進，次世代半導體元件的熱管理正逼近物理極限。麻省理工學院（MIT）研究團隊日前發表一項技術突破，成功在氮化鎵（GaN）高功率晶體管頂部，成功生長出超薄的「單晶鑽石」薄膜層 |
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AI如何成為交通系統的操作核心 (2026.06.09)
交通系統向城市操作系統（City OS）的轉型，實質上是人類社會走向「智慧社會」的縮影，許多廠商的努力，讓一個安全、高效、且具備高度韌性的移動生態已然具備雛形 |
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中研院與東大攜手研發新型光電元件 發光強度增強46倍 (2026.06.08)
(圖一) 中研院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員（第1排左3）成功開發以「氮化鉿（HfN）」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計。
中央研究院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員與日本東京大學童俊智教授團隊合作，成功開發以「氮化鉿（HfN）」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計 |
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12V極限與48V革命的必然性 (2026.06.08)
AI功耗大爆炸。這是一場人類在追求極致智慧的道路上，與物理學、材料學進行的正面遭遇戰。 |
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Power Integrations超薄型PSU設計 適用於800VDC AI資料中心 (2026.06.01)
在COMPUTEX 2026前夕，高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今（1）日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器（PSU）參考設計，首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的PowiGaN單一HEMT IC，強調可節省空間、簡化系統架構、提升可靠性並減少BOM零件數，實現最高達88%效率 |
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解鎖 AI 協作機櫃 宏正亮相 COMPUTEX (2026.05.29)
受惠於全球AI需求持續暢旺、資本支出與消費成長回溫，宏正自動科技近日揭曉財務表現，於今年1~4月累計合併營收達17.33 億元，獲亞洲市場挹注成長動能，更創下4月單月歷史新高 |
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專為可攜式電源而設計： 英飛凌CoolGaN BDS 40 V G3系列可縮減82%的占板面積 (2026.05.28)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步擴展了其CoolGaN BDS 40 V G3雙向開關（BDS）系列，推出了兩款新產品：IGK048B041S和IGK120B041S |
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Microchip 推出 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，支援 AI 資料中心固態變壓器應用 (2026.05.28)
Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新模組於業界標準 62 mm 封裝中整合 3.3 kV 碳化矽（SiC）mSiC MOSFET 與蕭特基二極體，可實現從中壓電網直接向伺服器機櫃提供高效率電力傳輸 |
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德州儀器：AI算力物理限制已到 800V高壓直流供電成唯一解方 (2026.05.19)
德州儀器（TI）美國總部算力技術專家 Pradeep S. Shenoy 在受訪時直言，AI 晶片對電力的索求正以驚人的幾何級數飆升。 |
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應材攜手台積電與記憶體巨頭佈局次世代晶片 (2026.05.18)
應用材料發布 2026 會計年度第二季財報，不僅季營收創下 79.1 億美元歷史新高，更預期今年半導體設備業務將超過 30% 成長。 |
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英飛凌半導體技術在Artemis II太空任務中展現可靠性 (2026.04.16)
美國太空總署 (NASA) 的阿提米絲二號 (Artemis II) 任務在完成為期十天的太空飛行後成功返回地球。此次任務中不僅完成繞月飛行，還創下了載人太空船距離地球最遠的飛行紀錄 |
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應用材料推出新款沉積系統 符合埃米級AI晶片需求 (2026.04.14)
迎合現今AI運算需求急速攀升，半導體產業正不斷突破微縮極限，致力於提升處理器晶片中數千億個電晶體的能源效率表現。應用材料公司近日也新推出2款晶片製造系統，透過原子級的精度控制材料沉積，協助晶片製造商打造更快速、節能的電晶體，以支持全球AI基礎建設的擴張 |
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先進製造佈局 半導體與工具機的共生演進 (2026.04.08)
隨著2026年生成式AI正式由雲端大模型（Cloud AI）轉向更具即時性、隱私性的地端代理人（Agent AI）與物理人工智慧（Physical AI），全球對於算力的定義正在發生質變。 |
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力積電攜手法國CEA機構 打造整合RISC-V與矽光子3D堆疊AI晶片 (2026.04.05)
力積電（PSMC）宣佈，將與法國原子能署（CEA）旗下兩大研究機構CEA-Leti與CEA-List展開戰略合作。雙方將結合RISC-V架構與Micro LED矽光子技術，導入力積電現有的3D堆疊與中介層（Interposer）平台，為次世代AI系統提供具備高頻寬通訊與高效能運算的解決方案 |
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力積電攜手法國CEA機構 打造整合RISC-V與矽光子3D堆疊AI晶片 (2026.04.05)
力積電（PSMC）宣佈，將與法國原子能署（CEA）旗下兩大研究機構CEA-Leti與CEA-List展開戰略合作。雙方將結合RISC-V架構與Micro LED矽光子技術，導入力積電現有的3D堆疊與中介層（Interposer）平台，為次世代AI系統提供具備高頻寬通訊與高效能運算的解決方案 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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Microchip 發表 BZPACK mSiC 功率模組，專為嚴苛環境中的高要求應用而設計 (2026.04.02)
Microchip Technology今日宣布推出 BZPACK mSiC 功率模組，專為符合嚴格的高濕度、高電壓、高溫反向偏壓（High Humidity High Voltage High Temperature Reverse Bias, HV-H3TRB）標準而設計。BZPACK 模組可提供卓越的可靠性、簡化製造流程，並為最嚴苛的電力轉換環境提供多樣化的系統整合選項 |
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英飛凌推出超低雜訊XENSIV TLE4978混合式霍爾與線圈電流感測器， 為新一代電力系統提供助力 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出TLE4978系列無芯隔離式磁電流感測器，進一步擴展其XENSIV感測器產品組合 |
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英飛凌推出超低雜訊XENSIV TLE4978混合式霍爾與線圈電流感測器， 為新一代電力系統提供助力 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出TLE4978系列無芯隔離式磁電流感測器，進一步擴展其XENSIV感測器產品組合 |
